场效应管

产品详情：

AO3480C将***沟道MOSFET技术与低电阻封装相结合,以提供极低的ROS(开)。该设备适用于ALOAD开关或PWM应用。



AO3480C描述：

?门电荷低

?RoHS和无卤素兼容

?沟槽功率MOSFET技术30V

?低RDS(上)



AO3480C产品技术参数:

在vg RDS(上)(= 4.5 v)<26 mΩ

ID (at VGS=4.5V) 6.2A

RDS(上)(vg = 10 v)<20 mΩ



AO3480C***保护

A. RqJA的值是用2oz的装置安装在1in2 FR-4板上测量的。铜，在TA =25℃的静空气环境中。的价值在任何给定的应用取决于用户的具体板设计。